ESPECIFICACIONES:
| Fabricante | ONSEMI |
| Tipo de transistor | N-MOSFET |
| Polarización | unipolar |
| Tensión drenaje-fuente | 500V |
| Corriente del drenaje | 10,8A |
| Poder disipado | 38,5W |
| Tensión puerta-fuente | ±30V |
| Resistencia en estado de transferencia | 265mΩ |
| Montaje | THT |
| Carga de puerta | 60nC |
