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Hoja de Datos
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Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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HEXFET®
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Paquete
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Tubo
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Estado de la pieza
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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75 V
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Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C
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170A (Tc)
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Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)
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10 V
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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4,5 mOhmios a 75 A, 10 V
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Vgs (th) (Max) @ Id
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4 V a 250 µA
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Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
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260 nC a 10 V
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Vgs (máx.)
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± 20 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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7600 pF a 50 V
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Característica FET
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–
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Disipación de energía (máx.)
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330W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
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Tipo de montaje
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A través del orificio
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Paquete de dispositivos del proveedor
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TO-220AB
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Paquete / Estuche
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TO-220-3
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Número de producto base
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IRFB3207
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