MOSFET 500V, 9AMP.
| Marca | ONSEMI |
| Código | IRF840B |
| Ficha Técnica |  Hoja de Datos |
| Fabricante: | Onsemi |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Polaridad del transistor: | N-Channel |
| Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 500 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 9 A |
| Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 650 mOhms |
| Vgs – Tensión entre puerta y fuente: | – 30 V, + 30 V |
| Temperatura de trabajo mínima: | – 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp – Disipación de potencia : | 134 W |
| Altura: | 16.3 mm |
| Longitud: | 10.67 mm |
| Ancho: | 4.7 mm |
| Peso de la unidad: | 2 g |
| Brand |
ON SEMICONDUCTOR |
|---|
| Marca | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Código | IRG4PC40UDPBF |
| Cantidad | 14 Und. |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | HTC |
| Código | TL431AZ |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | VISHAY |
| Código | IRFP460LC |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | STMICROELECTRONICS |
| Código | BC107B |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | DIODES INCORPORATED |
| Código | ZTX757 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ONSEMI |
| Código | TL431A |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | NTE ELECTRONICS INC. |
| Código | 2N2646 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | Texas Instruments |
| Código | LM338K |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
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