ESPECIFICACIONES:
Fabricante | ONSEMI |
Tipo de transistor | N-MOSFET |
Polarización | unipolar |
Tensión drenaje-fuente | 500V |
Corriente del drenaje | 10,8A |
Poder disipado | 38,5W |
Tensión puerta-fuente | ±30V |
Resistencia en estado de transferencia | 265mΩ |
Montaje | THT |
Carga de puerta | 60nC |