Número de Parte: MTM15N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 110 nC
Tiempo de elevación (tr): 180 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-204AE