Español
Ingles
Hoja de Datos
|
Fabricante
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
|
|
Serie
|
–
|
|
|
Paquete
|
Tubo
|
|
|
Estado de la pieza
|
Activo
|
|
|
Tipo de transistor
|
8 Darlington NPN
|
|
|
Corriente – Colector (Ic) (Máx.)
|
500mA
|
|
|
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.)
|
50V
|
|
|
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
|
1.6V a 500µA, 350mA
|
|
|
Corriente – Corte de colector (Máx.)
|
–
|
|
|
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
|
1000 a 350mA, 2V
|
|
|
Potencia – Máx.
|
1.47W
|
|
|
Frecuencia – Transición
|
–
|
|
|
Temperatura de funcionamiento
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
|
|
Tipo de montaje
|
Orificio pasante
|
|
|
Paquete / Caja (carcasa)
|
18-DIP (0.300″, 7.62mm)
|
|
|
Paquete del dispositivo del proveedor
|
18-DIP
|
|
|
Número de producto base
|
ULN2803
|
 |
ENVÍO GRATIS Por compras superiores a S/500 |
