Hoja de DatosDescripción
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Fabricante
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Toshiba Semiconductor and Storage
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Serie
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–
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Paquete
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Tubo
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Estado de la pieza
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Activo
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Tipo de transistor
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8 Darlington NPN
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Corriente – Colector (Ic) (Máx.)
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500mA
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Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.)
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50V
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Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
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1.6V a 500µA, 350mA
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Corriente – Corte de colector (Máx.)
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–
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Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
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1000 a 350mA, 2V
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Potencia – Máx.
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1.47W
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Frecuencia – Transición
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–
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Temperatura de funcionamiento
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-40°C ~ 85°C (TA)
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Tipo de montaje
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Orificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
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18-DIP (0.300″, 7.62mm)
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Paquete del dispositivo del proveedor
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18-DIP
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Número de producto base
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ULN2803
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