Descripción
GT40QR21(STA1,E,D Toshiba – Transistor IGBT 1200V 35A
El GT40QR21(STA1,E,D de Toshiba es un transistor igbt destinado a aplicaciones de electrónica industrial, mantenimiento y reposición. La referencia GT40QR21(STA1,E,D debe verificarse contra el componente físico y el equipo de destino antes de realizar una sustitución.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante: Toshiba
- Modelo / código: GT40QR21(STA1,E,D
- Corriente de colector en impulso: 80A
- Tensión entrada – emisor: ±25V
- Tensión colector-emisor: 1,2kV
- Corriente de colector: 35A
- Tipo de transistor: IGBT
- Poder disipado: 230W
- Carcasa: TO3PN
- Tensión: colector-emisor 1,2kV
El GT40QR21(STA1,E,D puede utilizarse como repuesto en equipos industriales según las condiciones eléctricas, mecánicas y térmicas de la aplicación. Antes de instalar el esta referencia, compruebe tensión, corriente, configuración, encapsulado, dimensiones y compatibilidad con el equipo original.
Aplicaciones de esta referencia
Esta referencia está orientada a mantenimiento, reparación, automatización y reposición de componentes electrónicos industriales. Para consultar disponibilidad y cotización del esta referencia, comuníquese con FACERSA.
Puede consultar información adicional en el sitio oficial del fabricante.
