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Ingles
Hoja de Datos
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Serie
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HEXFET®
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Paquete
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Tubo
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Estado de la pieza
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Activo
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Tipo FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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100 V
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Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC
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33 A (Tc)
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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10V
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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44mOhm a 16A, 10V
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Vgs(th) (máx) a Id
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4V a 250µA
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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71 nC @ 10 V
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Vgs (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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1960 pF @ 25 V
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Característica de FET
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–
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Disipación de potencia (Máx.)
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130W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Orificio pasante
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Paquete del dispositivo del proveedor
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TO-220AB
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Paquete / Caja (carcasa)
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TO-220-3
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Número de producto base
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IRF540
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