Módulo diodo – semiconductor discreto 1.2kV – 260AMP.
| Marca | IXYS |
| Código | MEE250-12 DA |
| Ficha Técnica |  Hoja de Datos |
| Fabricante | IXYS |
| Voltaje – CC inverso (Vr) (Máx.) | 1200 V |
| Corriente – Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 260A |
| Voltaje – Directo (Vf) (máx.) a If | 1.8 V @ 260 A |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 500 ns |
| Corriente – Fuga inversa a Vr | 12 mA @ 1200 V |
| Temperatura de funcionamiento: acoplamiento | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Montaje de chasis |
| Brand |
ixys |
|---|
| Marca | IXYS |
| Código | MCD200-16IO1 |
| Ficha Técnica | Hoja de datos |
| Marca | CRYDOM |
| Código | L312F |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | EUPEC |
| Código | T330N12KOF |
| Cantidad | 1 Und. |
| Ficha Tecnica | Descargar |
| Marca | SHINDENGEN |
| Código | HDF-2412D |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | SEMIKRON |
| Código | SKKH 92/16E |
| Ficha Técnica | Hoja de datos |
| Marca | INFINEON |
| Código | FP20R06KL4 |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | SEMIKRON |
| Código | SKHI22A |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
Modulo IGBT, diodo/transistor; Urmax: 1,2kv
| Marca | SEMIKRON |
| Código | SKM400GAL125D |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
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