ESPECIFICACIONES:
Fabricante: | Onsemi |
Categoría de producto: | MOSFET |
Polaridad del transistor: | N-Channel |
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 500 V |
Id – Corriente de drenaje continua: | 9 A |
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 650 mOhms |
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: | – 30 V, + 30 V |
Temperatura de trabajo mínima: | – 55 C |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
Dp – Disipación de potencia : | 134 W |
Altura: | 16.3 mm |
Longitud: | 10.67 mm |
Ancho: | 4.7 mm |
Peso de la unidad: | 2 g |