| Fabricante: |
Infineon |
| Categoría de producto: |
MOSFET |
| Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: |
550 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: |
17 A |
| Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: |
199 mOhms |
| Vgs – Tensión entre puerta y fuente: |
– 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: |
3.5 V |
| Qg – Carga de puerta: |
34 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: |
– 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: |
+ 150 C |
| Dp – Disipación de potencia : |
139 W |
| Altura: |
9.45 mm |
| Longitud: |
10.2 mm |
| Tipo de producto: |
MOSFET |
| Ancho: |
4.5 mm |
| Peso de la unidad: |
2,387 g |
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