Descripción
Transistor H20R1203 Infineon
El Transistor H20R1203 Infineon es un semiconductor de potencia de alta eficiencia que utiliza tecnología IGBT de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico, diseñado para sistemas de conmutación suave y alta frecuencia.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Tipo de componente: IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada)
- Voltaje colector-emisor (Vce): 1200 V
- Corriente de colector (Ic): 20 A
- Encapsulado: TO-247 (THT)
- Aplicación principal: Calentamiento por inducción, hornos microondas y fuentes resonantes
Gracias a sus bajas pérdidas por conmutación y excelente disipación térmica, el Transistor H20R1203 Infineon asegura un rendimiento extremadamente estable en equipos industriales de alta exigencia. Para cotizar disponibilidad y volumen de este componente, comuníquese con FACERSA por WhatsApp. Conoce más sobre la calidad de estos semiconductores en el sitio oficial de Infineon Technologies.
