Descripción
SGW25N120 Infineon – Transistor IGBT 1200V 46A
El SGW25N120 de Infineon es un transistor igbt destinado a aplicaciones de electrónica industrial, mantenimiento y reposición. La referencia SGW25N120 debe verificarse contra el componente físico y el equipo de destino antes de realizar una sustitución.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS:
- Fabricante: Infineon
- Modelo / código: SGW25N120
- Voltaje de saturación colector-emisor: 3.1 V
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1.2 kV
- Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
- Temperatura de trabajo mínima: 55 C
- Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V, + 20 V Colector de Corriente Continua a 25 C: 46 A
- Dp – Disipación de potencia: 313 W
- Categoría de producto: Transistores IGBT
- Estilo de montaje: Through Hole
- Peso de la unidad: 38 g
- Configuración: Single
- Montaje: Through Hole
- Serie: SGW25N120 Empaquetado: Tube Máx. corriente continua Ic del colector: 46 A
El esta referencia puede utilizarse como repuesto en equipos industriales según las condiciones eléctricas, mecánicas y térmicas de la aplicación. Antes de instalar el esta referencia, compruebe tensión, corriente, configuración, encapsulado, dimensiones y compatibilidad con el equipo original.
Aplicaciones de esta referencia
Esta referencia está orientada a mantenimiento, reparación, automatización y reposición de componentes electrónicos industriales. Para consultar disponibilidad y cotización del esta referencia, comuníquese con FACERSA.
Puede consultar información adicional en el sitio oficial del fabricante.
