Mosfet de potencia N de 2,5 A, 1500 V, 3-PINES.
| Marca | Renesas Electronics |
| Código | 2SK1317 |
| Ficha Técnica |  Hoja de Datos |
| Fabricante: | Renesas Electronics |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 1.5 kV |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 2.5 A |
| Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 12 Ohms |
| Vgs – Tensión entre puerta y fuente: | – 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: | 4 V |
| Temperatura de trabajo mínima: | – 55 C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
| Dp – Disipación de potencia : | 100 W |
| Modo canal: | Enhancement |
| Peso de la unidad: | 1.600 g |
| Marca | Infineon Technologies |
| Código | IRFB3207PBF |
| Cantidad | 10 Und. |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | TOSHIBA |
| Código | 2SA1015 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | Motorola |
| Código | MC7805CK |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ST Microelectronics |
| Código | LM350K |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ST Microelectronics |
| Código | TIP132 |
| Cantidad | 25 Und. |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ON SEMICONDUCTOR |
| Código | GBU6J |
| Cantidad | 15 Und. |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Código | IRG4PC40UDPBF |
| Cantidad | 14 Und. |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ONSEMI |
| Código | 2N5401 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
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