ESPECIFICACIONES:
Fabricante: | Renesas Electronics |
Categoría de producto: | MOSFET |
Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 1.5 kV |
Id – Corriente de drenaje continua: | 2.5 A |
Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: | 12 Ohms |
Vgs – Tensión entre puerta y fuente: | – 20 V, + 20 V |
Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: | 4 V |
Temperatura de trabajo mínima: | – 55 C |
Temperatura de trabajo máxima: | + 150 C |
Dp – Disipación de potencia : | 100 W |
Modo canal: | Enhancement |
Peso de la unidad: | 1.600 g |