Transistor IGBT 1,2KV, 35A, 230W, TO3PN.
| Marca | TOSHIBA |
| Código | GT40QR21(STA1,E,D |
| Ficha Tecnica |  Hoja de Datos |
| Fabricante | TOSHIBA |
| Tipo de transistor | IGBT |
| Tensión colector-emisor | 1,2kV |
| Corriente de colector | 35A |
| Poder disipado | 230W |
| Carcasa | TO3PN |
| Tensión entrada – emisor | ±25V |
| Corriente de colector en impulso | 80A |
| Brand |
Toshiba |
|---|
| Marca | STMICROELECTRONICS |
| Código | BC107B |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ST Microelectronics |
| Código | LM350K |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | PANASONIC |
| Código | 2SC828 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | DIODES INCORPORATED |
| Código | ZTX657 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
| Código | L14G2 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ONSEMI |
| Código | TL431A |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | ONSEMI |
| Código | BC327 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP. |
| Código | 2SC1815 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
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