Módulo diodo – semiconductor discreto 1.2kV – 260AMP.
| Marca | IXYS |
| Código | MEE250-12 DA |
| Ficha Técnica |  Hoja de Datos |
| Fabricante | IXYS |
| Voltaje – CC inverso (Vr) (Máx.) | 1200 V |
| Corriente – Promedio rectificado (Io) (por diodo) | 260A |
| Voltaje – Directo (Vf) (máx.) a If | 1.8 V @ 260 A |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 500 ns |
| Corriente – Fuga inversa a Vr | 12 mA @ 1200 V |
| Temperatura de funcionamiento: acoplamiento | -40°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Montaje de chasis |
| Brand |
ixys |
|---|
| Marca | FUJI ELECTRIC |
| Código | 2MBI300U4H-120-50 |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | SEMIKRON |
| Código | SKB30/16 |
| Ficha Técnica | Hoja de datos |
| Marca | SEMIKRON |
| Código | SKB52/04 |
| Ficha Tecnica | Hoja de Datos |
| Marca | MITSUBISHI |
| Código | CM100DY-24H |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | CRYDOM |
| Código | L312F |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | INFINEON |
| Código | FF300R12KS4 |
| Ficha Técnica | Hoja de datos |
| Marca | INFINEON |
| Código | FF400R12KE3 |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
| Marca | IXYS |
| Código | VHF36-16IO5 |
| Ficha Técnica | Hoja de Datos |
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